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giovedì 17 giugno 2010

Bjt....jFet......MosFet

Nel 1948 Bardeen, Brattain e Shockley pubblicarono il famoso articolo sul transistor allo stato solido con il quale vinsero il Nobel per la fisica nel 1956.





Fu nel 1952 che il ricercatore Shockley realizzò il primo transistor unipolare ad effetto di campo comunemente detto FET.





Nel 1960, Dawon Kahng e Martin Atalla inventano il metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET).


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