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sabato 29 gennaio 2011

Si studiano transistor a nanotubi di carbonio




Fonte immagine: http://dsp.panaghia.it/wp-content/uploads/2010/09/nanotubi.jpg



Il nanotubo a singola parete è un materiale molto resistente alla trazione ed avente interessanti proprietà elettriche, infatti, a seconda del suo diametro o della sua chiralità (cioè il modo con cui i legami carbonio-carbonio si susseguono lungo la circonferenza del tubo) può essere o un conduttore di corrente, come un metallo, o un semiconduttore, come il silicio presente nei microchip.
Per quanto detto si aprono le porte alla ricerca di nuovi metodi di costruzione nel campo dell'elettronica, realizzando chip sempre più piccoli in dimensioni e veloci in prestazioni.
Prima fra tutte la Toshiba ha annunciato di aver fatto un grande passo in avanti nello sviluppo dei transistor a nanotubi, proponendo strutture di transistor 3D con processo produttivo a 16 nanometri ed inferiore, che riducono la resistenza parassita e migliorano il valore di corrente di circa il 75%.
Da considerare che per l'utilizzo dei nanotubi di carbonio in sostituzione del silicio è comunque obbligatoria la ricerca anche nell'architettura dei circuiti integrati che andrebbe modificata per trarre il massimo da questo cambiamento.




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