Fonte immagine: http://fim.enea.it/organizzazione/fim-mat-nano/Fotolitografiaedattaccochimico.jpg
La fotolitografia è il processo tramite il quale le configurazioni geometriche tracciate su di una maschera sono trasferite su un sottile strato di materiale organico, chiamato resist, sensibile alla radiazione, con il quale viene preventivamente ricoperta l'intera superficie della fetta di semiconduttore.
Per generare gli elementi veri e propri, le sagome di resist devono a loro volta essere trasferite agli strati sottostanti. Questo trasferimento avviene per mezzo di un processo di incisione o attacco chimico che rimuove in modo selettivo parti non mascherate di uno strato.
In generale i passi fotolitografici sono i seguenti:
· preparazione del substrato
· coating [tramite spinner]
· pre-cottura [pre-bake o soft bake]
· allineamento della fotomaschera
· esposizione
· sviluppo
· ricottura [post-bake o hard bake]
· altri processi sul substrato così mascherato dal resist
· rimozione del resist [stripping]
· pulizia dopo il processo [ashing]
In particolare lo stripping è molto importante perchè non si alteri il sottostante strato o semiconduttore e non si inducano contaminazioni che potrebbero essere deleterie per i successivi passi litografici.
Wikio
