Tutto cominciò nel 1948 da un BJT

Il transistor a giunzione bipolare è anche definito con l'acronimo BJT, dall’ inglese bipolar junction transistor, questo transistor, che ha rivoluzionato il mondo dell'elettronica dal 1948, quando Bardeen e altri lo hanno realizzato per la prima volta negli Stati Uniti. è usato soprattutto nel campo dell'elettronica analogica come amplificatore ed interruttore.

Fig. n.1

Un BJT di tipo npn è composto da una regione di semiconduttore di tipo p (detta base) posta tra due regioni di tipo n relativamente più spesse (dette collettore ed emettitore), mentre un BJT di tipo pnp è formato da una base drogata di tipo p e un collettore e un emettitore di tipo n.

Fig. n.2


La differenza tra npn e pnp è evidenziata graficamente con il verso della freccia presso l'emittore, infatti, questa freccia simboleggia il verso della corrente nell'emittore ( vedi fig. n.2).
In figura n.1 è riportato un sistema idraulico che per analogia simula il funzionamento del BJT.